型名	社名	用途	構造	最大定格 Max. Ratings (Ta=25ﾟC)					電気的特性 Elec. Character. (Ta=25ﾟC)														外形	備考
	Mnf.	App.	Type	VCBO	VEBO	Ic	Pc	Tj	ICBO最大値サイダイチ	VCB	直流又は パルスhFE	VCE(V)	Ic(mA)	パイアス VCB	パイアス IE	ｈfe hｆｂ*	ｈｉe hiｂ*	ｈrehrｂ* (×10-4)	ｈoe hoｂ*	fab/ft*	Cob	rbb´hｉe(real)*	Pac. Dim. No.
				(V)	(V)	(mA)	(mW)	(ﾟC)	(μA)	(V)				(V)	(mA)		(Ω)		(μＳ)	(MHz)	(pF)	(Ω)
2SC701	三菱	PA	Si.EP		3	750	5W(Tc=25ﾟC)	200	100	15				15	-50	30	PG=10dB (f=150MHz,Pi=0.2W)				7		84C
2SC702	三菱	PA	Si.EP	40	4	750	8.6W(Tc=25ﾟC)	175	100	15	50	10	100				Po=3W (f=150MHz,Vcc=15V,Pi=0.2W)						113
2SC703	三菱	PA	Si.EP	40	5	2A	21W(Tc=25ﾟC)	175	1mA	15	50	10	100				Po=12W (f=175MHz,Vcc=13.5V,Pi=3.5W)						113
2SC704	三菱	PA	Si.EP	40	5	4A	34W(Tc=25ﾟC)	175	2mA	15	50	10	100				Po=17W (f=175MHz,Vcc=13.5V,Pi=5.5W)						113
2SC705	三洋	RF.Conv.Mix.Osc.	Si.EP	15	3	30	120	125	1	10	70	6	1	6	-1					700*	1.5	Cc rbb' 14PS	27
2SC706	三洋	RF	Si.EP	15	3	30	120	125	1	10	80	6	1	6	-1					800*	1.1	Cc rbb' 17PS	27
2SC707	日立	RF	Si.P	20	3	20	150	175	0.1	10	50	10	2	10	-2	75	PG=12dB (f=800MHz)			650*	0.4		9
2SC708	日立	SW	Si.T	60	4	1A	750	150	10	30	30-160	4	50	4	-30					15*	25		84B	2SA537とコンプリ
2SC708A	日立	SW	Si.T	100	4	1A	750	150	10	30	30-160	4	50	4	-30					15*	25		84B	2SA537Aとコンプリ
2SC709	三菱	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	25	4	100	200	125	1	25	75	6	10	6	-1	60				180*	3.5	Cc rbb' 180PS	138B
2SC710	三菱	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	30	4	30	200	125	1	25	90	6	1	6	-1					200*	2	Cc rbb' 20PS	138B
2SC711	三菱	RF.AF	Si.EP	30	4	100	200	125	0.1	25	250	6	1	6	-1		8500	0.6	40	150*	2.5	Cc rbb' 200PS	138B
2SC711A	三菱	RF.AF	Si.EP	50	4	100	200	125			250	6	1							150*	2.5		138B
2SC712	三菱	AF	Si.EP	30	4	100	200	125	1	25	90	6	10	6	-1		2500	0.4	15	150*	2.5	Cc rbb' 150PS	138B
2SC712A	三菱	AF	Si.EP	30	4	100	200	125	1	25	75	6	10	6	-1	80	2500	0.4	15	180*	2.5	Cc rbb' 150PS	138B
2SC713	三菱	SW	Si.EP	30	4	100	200	125	0.1	25	90	6	10				ton<60ns,toff<150ns,tsig<120ns			150*	2.5		138B
2SC714	三菱	SW	Si.EP	70	5	200	250	125	0.1	25	60	6	10	6	-10		ton<40ns,toff<250ns,tsig<150ns			200*	7		138B
2SC715	三洋	RF.V	Si.EP	40	5	100	120	125	1	35	180	6	1	6	-1		3500	0.8		140*	4	Cc rbb' 250PS	27
2SC716	三洋	RF.V	Si.EP	20	5	100	100	125	1	15	180	6	1	6	-1		3500	0.8	13	140*	4	Cc rbb' 250PS	27
2SC717	日立	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	30	2	50	200	125	0.5	10	>40	10	10	6	-1	40	PG=18dB (f=200MHz)			1100*	1.2	Cc rbb' 10PS	37
2SC718	富士通	SW	Si.EP	20	4	200	300	175	0.4	15	60	1	10	10	-10	tr=4ns,tf=9ns,ts=6ns				800*	2		49C
2SC719	富士通	SW	Si.EP	20	4	200	200	175	0.4	15	60	1	10	10	-10	tr=4ns,tf=9ns,ts=6ns				800*	2		46C
2SC720	富士通	RF	Si.P	25	3	20	200	175	0.05	6				6	-2	100	PG=30dB (=45MHz)			500*	1.2	80*	50C	フォワードAGC
2SC721	富士通	RF	Si.P	25	3	20	200	120	0.05	6				6	-2	100	PG=30dB (=45MHz)			500*	1.4	80*	30	フォワードAGC
2SC722	富士通	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	20		25	200	125	0.5	12				6	-2	80				700*	1.5	80*	138
2SC723	富士通	RF.Conv.Mix.Osc	Si.P	20		25	200	125	1	12				6	-2	60				500*	1.5	80*	138
2SC724	富士通	RF.SW	Sj.EP	30	5	200	200	125	0.05	10	60	1	10	6	-2	70	tr<20ns,tf<50ns,ts<250ns			250*	4	80*	138
2SC725	富士通	RF.SW	Sj.EP	60	5	200	200	125	0.05	10	60	1	10	6	-2	70	tr<20ns,tf<50ns,ts<250ns			250*	4	80*	138
2SC726	富士通	SW	Sj.EP	20	4	200	200	125	1	15	60	1	10		-2		tr=4ns,tf=9ns,ts=6ns						30
2SC727	富士通	RF.AF.SW	Si.T	100	3	100	350	175	1	30	90	4	10	6	-2	60	1200	1	12	20*	9	40	49C
2SC728	富士通	RF.AF.SW	Si.T	200	6	100	350	175	1	30	90	4	10	6	-2	60	1200	1	12	20*	10	40*	49C
2SC729	日電	RF	Si.E	50	5	200	600	175	0.5	30				10	-10	60				250*	4	40	84B
2SC730	三菱	PA	Si.EP	40	4	400	1.03W	175	10	15	50	10	100				Po=1.5W (f=150MHz,Vcc=13.5V,Pi=0.1W)						84B
2SC731	松下	PA	Si.EP	40	4	500	2.5W(Tc=25ﾟC)	175	1	20	70	13.5	100				Po=1.2W (f=500MHz,Vcc=13.5V,Pi=0.3W)						84B
2SC732	東芝	LN	Si.E	60	5	150	400	125	0.1	60	200-700	6	2	6	-1					150*	2		138
2SC733	東芝	RF	Si.E	35	5	100	300	125	0.1	18	70-700	6	2	6	-1					>80*	7	Cc rbb' 150PS	33
2SC734	東芝	RF	Si.E	70	5	150	300	125	0.1	18	70-400	1	20	6	-10					150*	5	15	33	2SA561とコンプリ
2SC735	東芝	RF	Si.E	35	5	400	300	125	0.1	18	70-400	1	100	5	-50					300*	7	Cc rbb' 150PS	33
2SC736	日電	SW	Si.E	135	5	5A	50W(Tc=25ﾟC)	175	500	60	60	10	1A				ton<2μs,toff<4μs,tsig<3μs						102
2SC737	三菱	PA	Si.EP	60	5	1.5A	17W(Tc=25ﾟC)	175	500	30	50	10	100				Po=14W (f=150MHz,Vcc=25V,Pin=1.9W)						113
2SC738	三菱	RF,Conv.Osc	Si.EP	25	4	20	150	125	1	12	55-180	6	1	6	-1	MAG=25.5dB (f=100MHz)				440*	1.5	Cc rbb' 30PS	138B
2SC739	三菱	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	25	4	20	150	125	1	12				6	-1	60				350*	1.5		138B
2SC740	三菱	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	25	2	20	150	150	0.5	10	40	10	10	10	-10	40				900*	1.4		11A
2SC741	三菱	PA	Si.EP	40	4	300	2.5W(Tc=25ﾟC)	175	1	15	50	10	100				Po=0.3W (f=150MHz,Vcc=13.5V,Pin=10mW)						84B
2SC742	富士通	PA	Si.EP	65	4	1.5A	12.5W(Tc=25ﾟC)	175	5	30				10	-150	30				400*	8		111
2SC743	富士通	PA	Si.EP	65	4	3A	25W(Tc=25ﾟC)	175	10	30				10	-300	30				350*	16		111
2SC744	富士通
2SC745	富士通	PA	Si.EP	50	4	1.5A	12.5W(Tc=25ﾟC)	175	10	10				10	-150	45				450*	8		111
2SC746	富士通	PA	Si.EP	45	4	3A	25W(Tc=25ﾟC)	175	20	10				10	-150	35				350*	20		111
2SC747
2SC748	富士通	PA	Si.EP	36	4	1A	12.5W(Tc=25ﾟC)	175	10	10				10	-150	25				400*	16		111
2SC749	富士通	PA	Si.EP	36	4	2A	25W(Tc=25ﾟC)	175	25	10				10	-150	25				350*	32		111
2SC751	東芝	RF	Si.EP	20	2	20	100	150	1	10				10	-8	50				650*	1.9		46C
2SC752	東芝	SW	Si.E	40	5	200	400	125	0.1	40	40-240	1	10	10	-10					400*	4		138
2SC753	日電	RF.Conv.Mix.Osc	Si.E	25		20	100	150	1	12				6	-2	70				1100*	0.7		23
2SC754	日電	RF.AF	Si.E	20		150	150	150	1	20	100	1	20	6	-1	80				90*	6.5		23
2SC755	日電	RF	Si.E	15		100	150	150	0.1	15	270	3	0.5	3	-0.5	300	15kΩ	16	3	100*	8		23
2SC756	ソニー	PA	Si.E	100	6	4A	10W(Tc=25ﾟC)	175	3	50	80	2	100	10	-50	60				65*	35		181
2SC756A	ソニー	RF.PA	Si.EMe	130	6	4A	10W(Tc=25ﾟC)	175			100	2	100							100*	45		181
2SC757	日電	RF.Conv.Mix.Osc	Si.E	30		20	100	150	1	12				6	-2	70				1100*	0.7		23
2SC758	芝電	PA	Si.TMe	280	5	8A	60W(Tc=25ﾟC)	150	10	30				5	-0.5A	35				18*	275		102
2SC759	芝電	PA	Si.TMe	180	5	8A	60W(Tc=25ﾟC)	150	10	30				5	-0.5A	35				18*	275		102
2SC760	芝電	PA	Si.TMe	100	5	8A	60W(Tc=25ﾟC)	150	100	30				5	-0.5A	35				18*	275		102
2SC761	松下	RF.Conv.Mix.Osc	Si.P	30	3	20	150	175	100	30	>25	10	2	10	-2	40	PG=8dB (f=900MHz)			675*	Cre 0.28		50C	フォワードAGC
2SC762	松下	RF.Conv.Mix.Osc	Si.P	30	3	20	150	175	100	30	>25	10	2	10	-2	40				600*	Cre 0.28		50C	フォワードAGC
2SC763	三菱	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	25	3	20	100	125	0.5	12	70	6	1	6	-1					470*	1.4		138B
2SC764	日電	SW	Si.E	40	5	200	360	200	0.1	20	85	1	10	10	-10	80	ton<12ns,toff<18ns,tsig<13ns			750*	2		49C
2SC765	三菱	PA	Si.TMe	60		2A	30W(Tc=25ﾟC)	150	1mA	30	60	4	1A				Po=20W (f=27MHz,Vcc=25V,Pi=3W)						102
2SC766	三菱	PA	Si.TMe	120		2A	30W(Tc=25ﾟC)	150	1mA	30	60	4	1A				Po=19W (f=27MHz,Vcc=35V,Pi=2W)						102
2SC767	三菱	PA	Si.TMe	180		2A	30W(Tc=25ﾟC)	150	1mA	30	60	4	1A				Po=19W (f=27MHz,Vcc=35V,Pi=2W)						102
2SC768	三菱	PA.SW	Si.TMe	60	5	10A	50W(Tc=25ﾟC)	150	1mA	30	25	4	2A				ton<3μs,toff<1μs,tsig<2μs						102
2SC769	三菱	PA.SW	Si.TMe	120	5	10A	50W(Tc=25ﾟC)	150			25	4	2A				ton<3μs,toff<1μs,tsig<2μs						102
2SC770	三菱	PA.SW	Si.TMe	200	5	10A	50W(Tc=25ﾟC)	150			25	4	2A				ton<3μs,toff<1μs,tsig<2μs						102
2SC771	三菱	PA.SW	Si.TMe	250	5	10A	50W(Tc=25ﾟC)	150			25	4	2A							ton<3μs,toff<1μs,tsig<2μs			102
2SC772	三洋	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	15		30	120	125			60	6	1	6	-1					300*	1.5		27
2SC773	三菱	Osc	Si.EP	50	5	200	250	125						6	-10	60							138B
2SC774	三菱	PA	Si.EP	50	4	500	680	175			70	10	100										84B
2SC775	三菱	PA	Si.EP	75	4	1A	800	200			70	10	100										84B
2SC776	三菱	PA	Si.EP	75	4	1A	1W	200			70	10	100										848
2SC777	三菱	PA	Si.EP	75	4	1A	2W	200			50	10	100										97B
2SC778	三菱	PA	Si.EP	80	4	2A	2.5W	200			50	10	100										97B
2SC779	東芝	SW	Si.TMe	300	6	2A	25W(Tc=25ﾟC)	150			30-200	10	100	10	-100					20*	40		99
2SC780	東芝	RF	Si.EP	70	2	20	150	125						10	-2	60				100*	3		33
2SC780A	東芝	SW	Si.T	150	5	30	400	125			70-240	3	10							100*	2		138	2SA429とコンプリ
2SC781	日電	RF.PA	Si.E	75	5	1A	5W(Tc=25ﾟC)	175			80	10	150	10	-150	80				350*	11		84B
2SC782	東芝	PA	Si.TMe	300	5	1.5A	20W(Tc=25ﾟC)	150			30-240	10	100	10	-100					10*	50		99
2SC782A	東芝	PA	Si.TP	300	5	1.5A	25W(Tc=25ﾟC)	150			150	10	100							10*	70		99
2SC783	東芝	PA	Si.TMe	200	5	1.5A	20W(Tc-25ﾟC)	150			30-240	10	100	10	-100					10*	50		99
2SC784	東芝	RF	Si.EP	40	4	20	100	125			25-140	6	1	6	-1					500*	Cre 0.65		33
2SC785	東芝	Conv.Mix.Osc	Si.EP	40	4	20	100	125			25-140	6	1	6	-1					500*	Cre 0.65		33
2SC786	東芝	RF	Si.EP	20	3	20	200	150			20-200	5	4	10	-4		NF=3.5dB (f=100MHz)			>250*	Cre 0.25-0.55		50C
2SC787	東芝	RF.LN	Si.P	25	3	20	150	150			>25	10	2	10	-2		NF=5dB (f=800MHz)			1000*	Cre 0.3		50C
2SC788	東芝	RF.SW	Si.T	250	5	50	800	150			25-240	5	10	30	-10					120*	4		84B
2SC789	東芝	RF.PA	Si.T	70	5	4A	30W(Tc=25ﾟC)	150			40-240	5	500	5	-500					>3*	150		268
2SC790	東芝	PA	Si.T	50	5	3A	25W(Tc=25ﾟC)	150			40-240	2	500	2	-500					10*	85		268	2SA490とコンプリ
2SC791	東芝	PA	Si.TMe	90	5	1.5A	15W(Tc=25ﾟC)	150			40-250	2	200	5	-500					20	40		99
2SC792	東芝	PA	Si.TMe	300	5	1.5A	50W(Tc=25ﾟC)	150			30-250	10	300	10	-100					10*	80		102
2SC793	東芝	PA	Si.TMe	100	5	7A	60W(Tc=25ﾟC)	150			30-200	5	1A	5	-500					9*	220		102
2SC794	東芝	PA	Si.TMe	70	5	7A	60W(Tc=25ﾟC)	150			50	5	1A	5	-500	50				9*	230		102
2SC795	ソニー	PA	Si.DB	250	6	100	9W(Tc=25ﾟC)	150			70	10	10	10	-10	70				180*	7		100
2SC796	富士通	RF.Osc	Si.EP	40		500	1W(Tc=25ﾟC)	175			50	4	150	20	-15					230*	5		84B
2SC797	富士通	PA	Si.EP	60		500	1W(Tc=25ﾟC)	175			30	4	150				Po=1.3W (f=27MHz,Vcc=12V,Pi=75mW)			150*	5		84B
2SC798	富士通	PA	Si.TP	60		1.5A	5W(Tc=25ﾟC)	175				4	400				Po=3.5W (f=27MHz,Vcc=12V,Pi=0.5W)						84B
2SC799	日電	RF.PA	Si.E	80	5	1.5A	10W(Tc=25ﾟC)	175			90	10	150	10	-500		Po=3.5W (f=27MHz,Vcc=12V,Pi=0.4W)			250*	15		97B
2SC800	日電	RF	Si.E	30	4	10	100	150			100	6	2	6	-2	85				1000*	0.5	Cc rbb' 5PS	23