最大サイダイ定格テイカク(Ta=25℃)					電気的特性 Elec. Character. (Ta=25ﾟC)														外形	備　考
型名	社名	用途	構造	VCBO	VCEO	Ic	Pc（mW）	Tj	ICBO最大値サイダイチ	VCB	直流又は パルスhFE	VCE(V)	Ic(mA)	パイアス VCB	パイアス IE	ｈfe hｆｂ*	ｈｉe hiｂ*	ｈrehrｂ* (×10-4)	ｈoe hoｂ*	fab ｆＴ*	Cob	rbb´hｉe(real)*
				(V)	(V)	(mA)	(mW)	(ﾟC)	(μA)	(V)				(V)	(mA)		(Ω)		(μＳ)	(MHz)	(pF)	(Ω)
2SB1101	日　立	AF．PA	Si．T	-60	-60	−4A	40W(Tc＝25℃）	150	-100	-60	5000	-3	−2A	VCE(sat)く-1.5V(Ic=-2A,IB=-4mA)�XBE(sat)<-2V									268	ダンパ内蔵ダーリントン
2SB1102	日　立	AF．PA	Si．T	-80	-80	−4A	40W(Tc＝25℃）	150	-100	-80	5000	-3	−2A	VCE(sat)く-1.5V(Ic=-2A,IB=-4mA)�XBE(sat)<-2V									268	ダンパ内蔵ダーリントン
2SB1103	日　立	AF．PA	Si．T	-60	-60	−8A	40W(Tc＝25℃）	150	-100	-60	5000	-3	−4A	VCE(sat)く-1.5V(Ic=-4A,IB=-8mA)�XBE(sat)<-2V									268	ダンパ内蔵ダーリントン
2SB1104	日　立	AF．PA	Si．T	-80	-80	−8A	40W(Tc＝25℃）	150	-100	-80	5000	-3	−4A	VCE(sat)く-1.5V(Ic=-4A,IB=-8mA)�XBE(sat)<-2V									268	ダンパ内蔵ダーリントン
2SB1105	日　立	AF．PA	Si．T	-120	-1120	−3A	30W(Tc＝25℃）	150	-100	-120	5000	-3	−1．5A	VCE(sat)く-1.5V(Ic=-1.5A,IB=-4mA)�XBE(sat)<-2V									268	ダンパ内蔵ダーリントン
2SB1106	日　立	AF．PA	Si．T	-120	-120	−6A	40W(Tc＝25℃）	150	-100	-120	5000	-3	−3A	VCE(sat)く-1.5V(Ic=-3A,IB=-6mA)�XBE(sat)<-2V									268	ダンパ内蔵ダーリントン
2SB1107	日　立	AF．PA	Si．T	-120	-120	−10A	40W(Tc＝25℃）	150	-100	-120	5000	-3	−5A	VCE(sat)く-1.5V(Ic=-5A,IB=-10mA)�XBE(sat)<-2V									268	ダンパ内蔵ダーリントン
2SB1108	松　下	AF．PA	Si．TP	-120	-120	−8A	50W(Tc＝25℃）	150	-100	-120	5000	-3	−4A	VCE(sat)く-1.5V(Ic=-4A,IB=-8mA)�XBE(sat)<-2V									364	ダーリントン
2SB1109	日　立	AF．PA	Si．E	-160	-160	-100	1．25W	150	-10	-160	140	-5	-10	-5	10					140*	5.5		160	2SD1609とコンプリ
2SB1110	日　立	AF．PA	Si．E	-200	-200	-100	1．25W	150	ー10	-160	140	-5	-10	-5	10					140*	5.5		160	2SDI610とコンプリ
2SB1111	日　立	PA．SW	Si．E	-60±10	-60±10	宇2A	10W（Tc＝25℃）	150	-10	-40	2000〜30000	-2	−1A			tON=0.1μｓ．tf=0.5μｓtstg=1.5μｓ．							225	ダンバ内蔵ダーリントン
2SB1112	日　立	AF．PA	Si．E	-120	-120	−6A	40W（Tc＝25℃）	150	-100	-120	5000	-3	−3A										390	ダンバ内蔵ダーリントン
2SB1113	日　立	AF．PA	Si．T	-120	-120	−8A	40W（Tc＝25℃）	150	-100	-120	5000	-3	−4A										390	ダンバ内蔵ダーリントン
2SB1114	日　電	AF．PA	Si．E	-20	-20	−2A	2W（セラミック基盤使用）	150	-0.1	-16	350	-2	ー100	-10	50					180*	60		336	2SD1614とコンプリ
2SB1115	日　電	AF．PA	Si．E	-60	-50	−1A・	2W（セラミツタ基盤使用）	150	一0．1	-60	340	-2	-100	-2	100					120*	25		338	2SD1615とコンプリ	○
2SB1116	日　電	PA．SW	Si．E	-60	-50	−1A	750	150	-0.1	-60	135〜600	-2	-100	-2	100					120*	25		138	2SD1616とコンプリ	○
2SB1117	日　電	AF．PA	Si．E	-30	-25	−3A	1W	150	-0.1	-30	135〜600	-5	−1A	-5	1A					280*	90		278	2SD1617とコンプリ
2SB1118	三　洋	AF	Si．EP	-20	-15	-700	500	150	-1	-15	300	-2	-50										336
2SB1119	三　洋	AF	Si．EP	-25	-20	−1A	500	150	-1	-20	150	-2	-50										336
2SB1120	三　洋	AF	Si．EP	-20	-10	−2.5A	500	150	-1	-20	230	-2	-500										336
2SB1121	三　洋	AF	Si．EP	-30	-25	−2A	5001	150	-0.1	-20	180	-2	-100										336
2SB1122	三　洋	AF	Si．EP	-60	-50	−1A	500	150	-1	-50	150	-2	-50										336
2SB1123	三　洋	AF	Si．EP	-60	-50	−2A	500	150	-0.1	-50	200	-2	-100										336
2SB1124	三　洋	AF	Si．EP	-60	-50	−3A	500	150	-1	-40	180	-2	ー100										336
2SB1125	三　洋	AF	Si．EP	-80	-50	-700	500	150	-0.1	-40	25000	-2	-50										336	ダーリントン
2SB1126	三　洋	AF	Si．EP	-80	-50	−1．5A	500	150	-0.1	-40	25000	-2	-500										336	ダーリントン
2SB1127	三　洋	AF	Si．EP	-25	-20	−5A	10W（Tc＝25℃）	150	-0.5	-20	250	-2	-500	-5	200					320*	60		296
2SB1128	東　芝	SW	Si．E	-50	-50	−2A	10W（Tc＝25℃）	150	-10	-40	5000	-2	−1A										384	ダンバ内蔵ダーリントン
2SB1129	日　電	AF．PA．SW	Si．E	-80	-60	宇1．5A	1W	150	-10	-80	10000	-2	−1A										278	ダーリントン
2SB1130	ローム	AF．PA	Si．EP	-120	-120	−1．5A	1W	135	-1	-100	180	-5	-100	-5	100					50*	30		383
2SB1131	ローム	AF	Si．EP	-25	-20	−5A	1W	150	-0.5	-20	200	-2	-500	-5	200					320*	60		294
2SB1132	ローム	AF．PA	Si．EP	-40	-32	−1A	500	150	-0.5	-20	180	-3	-100	-5	50					150*	20		336
2SB1133	三　洋	PA	Si．EP	-60	-60	−3A	20W（Tc＝25℃）	150	-100	-20	150	-2	−1A	-5	500					40*	110		388
2SB1134	三　洋	PA	Si．EP	-60	-50	−5A	20W（Tc＝25℃）	150	-100	-40	150	-2	−1A										388
2SB1135	三　洋	PA	Si．EP	-60	-50	−7A	30W（Tc＝25℃）	150	-100	-40	150	-2	−1A	-5	1A					10*			388	2SD1668とコンプリ
2SB1136	三　洋	PA	Si．EP	-60	-50	−12A	30W（Tc＝25℃）	150	-100	-40	150	-2	−1A										388
2SB1137	日　電	SW	Si．E	-100	-100	宇10A	65W（Tc＝25℃）	150	-10	-100	6000	-2	−10A			tON=1μｓ．tf=2μｓtstg=5μｓ							404	ダンバ内蔵ダーリントン
2SB1138
2SB1139
2SB1140	三　洋	PA	Si．EP	-25	-20	−5A	1．3W	150	-0.5	-20	200	-2	-500										1389
2SB1141	三　洋	PA	Si．EP	-20	-18	−1．2A	1．3W	150	-0.1	-15	200	-2	-100										389
2SB1142	三　洋	PA	Si．EP	-60	-50	−2．5A	1．3W	150	-0.1	-50	200	-2	-100										389
2SB1143	三　洋	PA	Si．EP	-60	-50	−4A	1．3W	150	-1	-40	200	-2	-100										389
2SB1144	三　洋	PA	Si．EP	-120	-100	−1．5A	1．3W	150	-0.1	-100	200	-5	-100										389
2SB1145	日　立	AF．PA	Si．T	-120	一120	−3A	20W（Tc＝25℃）	150	-100	-120	5000	-3	−1．5A			ton=0.8μｓ,tf＝1.5μｓtstg=3μｓ							391	ダンパ内蔵ダ−リントン
2SB1146	日　立	AF．PA	Si．E	-120	-120	−6A	25W（Tc＝25℃）	150	-100	-120	5000	-3	−3A			ton=1μｓ,tf＝1μｓtstg=2μｓ							391	〃
2SB1147	日　立	AF．PA	Si．T	-120	-120	−8A	25W（Tc＝25℃）	150	-100	-120	5000	-3	−4A			ton=0.5μｓ,tf＝1.5μｓtstg=1.6μｓ							391	〃
2SB1148	松　下	AF．PA	Si．EP	-40	-20	−10A	15W（Tc＝25℃）	150	-50	-40	140	-2	−3A										392
2SB1149	日　電	AF．PA	Si．E	-100	-100	手3A	1．3W	150	-1	-80	10000	-2	−1．5A										225
2SB1150	日　電	AF．PA	Si．E	−60±10	−60土10	手3A	1．3W	150	-1	-40	10000	-2	−1．5A										225
2SB1151	日　電	AF．PA	Si．E	-60	-60	−5A	20W（Tc＝25℃）	150	-10	-50	200	-1	−2A			ton=0.15μｓ,tf＝0.18μｓtstg=0.78μｓ							225	2SD1691とコンプリ
2SB1152	松　下	AF．PA	Si．TP	-160	-160	−12A	120W（Tc＝25℃）	150	-50	-160	110	-5	−1A										365
2SB1153	松　下	AF．PA	Si．EP	-170	-170	−15A	150W（Tc＝25℃）	150	-50	-170	110	-5	−1A										393
2SB1154	松　下	AF．PA	Si．EP	-130	-80	−10A	70W（Tc＝25℃）	150	-10	-100	120	-2	−3A										82	2SD1705とコンプリ
2SB1155	松　下	AF．PA	Si．EP	-130	-80	−15A	80W（Tc＝25℃）	150	-10	-100	120	-2	−3A										82	2SD1706とコンプリ
2SB1156	松　下	AF．PA	Si．EP	-130	-80	−20A	100W（Tc＝25℃）	150	-10	-100	120	-2	−3A										82	2SD1707とコンプリ
2SB1157	松　下	AF．PA	Si．EP	-100	-100	−5A	60W（Tc＝25℃）	150	-50	-100	100	-5	−1A										82	2SD1712とコンプリ
2SB1158	松　下	AF．PA	Si．EP	-120	-120	−6A	70W（Tc＝25℃）	150	-50	-120	100	-5	−1A										82	2SD1713とコンプリ
2SB1159	松　下	AF．PA	Si．EP	-140	-140	−7A	100W（Tc＝25℃）	150	-50	-140	100	-5	−1A										82	2SD1714とコンプリ
2SB1160	松　下	AF．PA	Si．EP	-150	-150	−9A	100W（Tc＝25℃）	150	-50	-150	100	-5	−1A										82	2SD1715とコンプリ
2SB1161	松　下	AF．PA	Si．EP	-160	-160	−12A	120W（Tc＝25℃）	150	-50	-160	130	-5	-1A										82	2SD1716とコンプリ
2SB1162	松　下	AF．PA	Si．EP	-160	-160	−12A	120W（Tc＝25℃）	150	-50	-160	130	-5	−1A										393
2SB1163	松　下	AF．PA	Si．EP	-170	-170	−15A	150W（Tc＝25℃）	150	-50	-170	130	-5	−1A										393
2SB1164	日　電	AF．PA	Si.E	-60	-50	−2A	1W	150	-0.1	-60	300	-2	-100										278
2SB1165	三　洋	AF．PA	Si．EP	-60	-50	−5A	20W（Tc＝25℃）	150	-1	-40	200	-2	-500										398
2SB1166	三　洋	AF．PA	Si．EP	-60	-50	−8A	20W（Tc＝25℃）	150	-1	-40	200	-2	-500										398
2SB1167	三　洋	AF．PA	Si．EP	-120	-100	−3A	20W（Tc＝25℃）	150	-1	-100	200	-5	-500										398
2SB1168	三　洋	AF．PA	Si．EP	-120	-100	−4A	20W（Tc＝25℃）	150	-1	-100	200	-5	-500										398
2SB1169	松　下	AF．PA	Si．EP	-60	-60	−1A	15W（Tc＝25℃）	150	-200	-60	100	-4	−1A										392
2SB1170	松　下	AF．PA	Si．EP	-60	-60	−2A	15W（Tc＝25℃）	150	-200	-60	100	-4	−1A										392	2SD1751とコンプリ
2SB1171	松　下	AF．PA	Si．EP	-200	-150	−2A	15W (TC=25℃）	150	-50	-200	130	-10	一150										392	2SD1741とコンプリ
2SB1172	松　下	AF．PA	Si．EP	-60	-60	−3A	15W (TC=25℃）	150	-200	-60	150	-4	−1A										392	2SD1742とコンプリ
2SB1173	松　下	AF．PA	Si．EP	-60	-60	−4A	15W (TC=25℃）	150	-400	-60	120	-4	−1A										392	2SD1745とコンプリ
2SB1174	松　下	AF．PA	Si．EP	-130	-80	−3A	15W (TC=25℃）	150	-10	-100	150	-2	-500										392	2SD1744とコンプリ
2SB1175	松　下	AF．PA	Si．EP	-130	-80	−4A	15W (TC=25℃）	150	-10	-100	150	-2	−1A										392	2SD17ヰ5とコンプリ
2SB1176	松　下	AF．PA	Si．EP	-130	-80	−5A	15W (TC=25℃）	150	-10	-100	150	-2	−2A										392	2SD1746とコンプリ
2SB1177	松　下	AF．PA	Si．EP	-130	-80	−7A	15W (TC=25℃）	150	-10	-100	150	-2	−3A										392	2SD1747とコンプリ
2SB1178	松　下	AF．PA	Si．EP	-60	-60	−2A	15W (TC=25℃）	150	1mA	-60	5000	-4	−2A										392	ダンパ内蔵ダーリントン
2SB1179	松　下	AF．PA	Si．EP	-60	-60	−4A	15W (TC=25℃）	150	-200	-60	5000	-4	−3A										392	〃
2SB1180	松　下	AF．PA	Si．EP	-60	-60	−8A	15W (TC=25℃）	150	-100	-60	5000	-3	−4A										392	〃
2SB1181	ローム	AF．PA	Si．EP	-80	-80	−1A	15W (TC=25℃）	150	-1	-60	180	-3	-100							100＊	25		403
2SB1182	ローム	AF．PA	Si．EP	-40	-32	−2A	15W (TC=25℃）	150	-1	-20	180	-5	-500							100＊	50		403
2SB1183	ローム	AF．PA	Si．EP	-40	-40	−2A	15W (TC=25℃）	150	-1	-24	20000	-3	-500								11		403
2SB1184	ローム	AF．PA	Si．EP	-60	-50	−3A	15W (TC=25℃）	150	-1	-40	180	-3	-500							70*	50		403
2SB1185	ローム	AF．PA	Si．EP	-60	-50	−3A	25W (TC=25℃）	150	-1	-40	120	-3	-500	-5	500					70*	50		405	2SD1762とコンプリ
2SB1186	ローム	AF．PA	Si．EP	-120	-120	−1．5A	20W (TC=25℃）	150	-1	-100	120	-5	-100	-5	100					50*	30		405	2SD1763とコンプリ
2SB1187	ローム	AF．PA	Si．EP	-80	-60	−3A	35W (TC=25℃）	150	-10	-50	120	-5	-500										405
2SB1188	ローム	AF．PA	Si．EP	-40	-32	−2A	500	150	-1	-20	18	-5	-500										336
2SB1189	ローム	AF．PA	Si．EP	-80	-80	-700	500	150	-0.5	-50	180	-3	-100	-10	50					100＊	14		336
2SB1190	松　下	AF．PA	Si．EP	-200	-150	−1A	25W (TC=25℃）	150	-50	-200	120	-10	-100										268
2SB1191	松　下	AF．PA	Si．EP	-200	-150	−1A	25W (TC=25℃）	150	-50	-200	120	-10	-100										363	2SD1771とコンプリ
2SB1192	松　下	AF．PA	Si．EP	-200	-150	−1A	25W (TC=25℃）	150	-50	-200	120	-10	-100										364
2SB1193	松　下	AF．PA	Si．EP	-120	-120	−8A’	45W (TC=25℃）	150	-100	-120	5000	-3	−4A										364	デーリントン
2SB1194	松　下	AF．PA	Si．EP	-100	-100	−5A	30W (TC=25℃）	150	-100	-100	5000	-3	−3A			ton＜3μs,tf＜3μststg＜5μs							364	〃
2SB1195	松　下	AF．PA	Si．EP	-100	-100	-8A	50W (TC=25℃）	150	-100	-100	5000	-3	−5A			〃							364	〃
2SB1196	日立	AF．PA	Si．T	-70	-50	−4A	25W (TC=25℃）	150	-1	-50	200	-4	−1A										391
2SB1197	ローム	AF．PA	Si．EP	-40	-32	-800	200	125	-0.5	-20	180	-3	-100	-5	50					150＊	20		176
2SB1198	ローム	AF．PA	Si．EP	-80	-80	-500	200	125	-0.5	-50	180	-3	-100	-10	50					100＊	14		176
2SB1199	ローム	AF．PA	Si．EP	-15	-15	−1A	300	125	-0.5	-12	100	-3	-100										235
2SB1200